ANALYSEUR DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

Description

•identification automatique des composants
•identification automatique des broches de connexion
•identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
•transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
•mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
•mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
•extinction automatique et manuelle

Spécifications
•Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
•courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
•tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
•transistor: ?plage de gain (HFE): 4 - 65 000
?précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
?tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
?précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
?tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
?seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kO - 70 kO
?courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
?courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
?MOSFET: ?plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
?précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
?courant drain: 2.45 mA - 255 mA
?résistance de grille: 8 kO

?courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
?courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA

•thyristor/Triac: ?courant de grille: 4.5 mA
?courant de maintien: 5.0 mA

•diode: ?courant de test: 5.0 mA
?précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
?tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
?seuil de court-circuit: 10 O

•batterie: ?type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
?plage de tension: 7.50 V - 12 V
?seuil d'alarme: 8.25 V

•dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
•Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
•température de travail: 0°C~50°C (32F ~ 122F)

Caractèristiques