TRANSISTORS N-MOSFET 200mA 60V Rds(on):5.3R TO92

Description

Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-92-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 60 V
Id - Courant continu de fuite: 200 mA
Rds On - Résistance drain-source: 1.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Conditionnement: Bulk
Mode canal: Enhancement
Marque: Fairchild Semiconductor
Configuration: Single
Transconductance directe - min.: 0.1 S
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 400 mW
Série: 2N7000

Caractèristiques