Description
Package/Boîte: TO-220-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 400 V
Id - Courant continu de fuite: 10 A
Rds On - Résistance drain-source: 550 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Conditionnement: Tube
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Transconductance directe - min.: 4 S
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Pd - Dissipation d’énergie : 125 W
Temps de montée: 10 ns
Série: IRF740
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai d'activation standard: 17 ns