TRANSISTOR NPN EPITAXIAL 50V 0.1A 0.5W TO92 hFE:380-800

Description

Package/Boîte: TO-92-3 (TO-226)
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 45 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 50 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 0.2 V
Courant CC max. du collecteur: 0.1 A
Produit gain-bande passante fT : 200 MHz
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : 0.1 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 270
Température de fonctionnement min.: - 55 C

Caractèristiques